Hersteller-TeilenummerFDC636P
Hersteller / MarkeON Semiconductor
verfügbare Anzahl119480 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungMOSFET P-CH 20V 2.8A SSOT-6
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
FDC636P
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Obsolete
FET Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
2.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
130 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.5nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
390pF @ 10V
FET-Eigenschaft
-
Verlustleistung (Max)
1.6W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Lieferantengerätepaket
SuperSOT™-6
Paket / Fall
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
FDC636P

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Artikelnummer Hersteller Beschreibung
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