Hersteller-TeilenummerFDC637BNZ
Hersteller / MarkeON Semiconductor
verfügbare Anzahl83210 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungMOSFET N-CH 20V 6.2A 6-SSOT
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
FDC637BNZ
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
FET Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
6.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
24 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
895pF @ 10V
FET-Eigenschaft
-
Verlustleistung (Max)
1.6W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Lieferantengerätepaket
SuperSOT™-6
Paket / Fall
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
FDC637BNZ

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Artikelnummer Hersteller Beschreibung
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