Hersteller-TeilenummerIRLW610ATM
Hersteller / MarkeON Semiconductor
verfügbare Anzahl42910 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungMOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
ProduktkategorieTransistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
IRLW610ATM
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Obsolete
FET Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)
200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
3.3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 1.65A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
9nC @ 5V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
240pF @ 25V
FET-Eigenschaft
-
Verlustleistung (Max)
3.1W (Ta), 33W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Lieferantengerätepaket
I2PAK (TO-262)
Paket / Fall
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
IRLW610ATM

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Artikelnummer Hersteller Beschreibung
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