FQP55N10 ON Semiconductor Distribuidor
| Número de pieza del fabricante | FQP55N10 |
|---|---|
| Fabricante / Marca | ON Semiconductor |
| Cantidad disponible | 98710 Pieces |
| Precio unitario | Quote by Email ([email protected]) |
| Breve descripción | MOSFET N-CH 100V 55A TO-220 |
| categoria de producto | Transistores - FET, MOSFET - Simple |
| Estado sin plomo / estado de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) |
| El tiempo de entrega | 1-2 Days |
| Código de fecha (D / C) | New |
| Descargar hoja de datos | FQP55N10.pdf |
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- Número de pieza
- FQP55N10
- Estado de producción (ciclo de vida)
- Contact us
- Fabricante plazo de ejecución
- 6-8 weeks
- Condición
- New & Unused, Original Sealed
- forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Estado de la pieza
- Active
- Tipo de FET
- N-Channel
- Tecnología
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
- 100V
- Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
- 55A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 26 mOhm @ 27.5A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4V @ 250µA
- Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
- 98nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±25V
- Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 2730pF @ 25V
- Característica FET
-
- Disipación de potencia (Máx)
- 155W (Tc)
- Temperatura de funcionamiento
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Tipo de montaje
- Through Hole
- Paquete de dispositivo del proveedor
- TO-220AB
- Paquete / caja
- TO-220-3
- Peso
- Contact us
- Solicitud
- Email for details
- Repuesto
- FQP55N10
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| Número de pieza | Fabricante | Descripción |
|---|---|---|
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| FQ12N80 | FAIRCHILD | FQ12N80 FAIRCHILD IC T0-263 |
| FQ12PN60 | FAIRCHILD | FQ12PN60 FAIRCHILD IC TO-220 |
| FQ13N10L | FAIRCHILD | FQ13N10L FAIRCHILD IC SOT-89 |
| FQ15N100C | FAIRCHILD | FQ15N100C FAIRCHILD IC T0-263 |
| FQ1630 | FAIRCHILD | FQ1630 FAIRCHILD IC T0-263 |
| FQ16N40 | FAIRCHILD | FQ16N40 FAIRCHILD IC T0-263 |
| FQ17N60 | FAIRCHILD | FQ17N60 FAIRCHILD IC T0-263 |
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