codice articolo del costruttoreNTLJS1102PTBG
Produttore / MarcaON Semiconductor
quantité disponible179000 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneMOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Singoli
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
NTLJS1102PTBG
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
8V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
3.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
36 mOhm @ 6.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
720mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 4.5V
Vgs (massimo)
±6V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
1585pF @ 4V
Caratteristica FET
-
Dissipazione di potenza (max)
700mW (Ta)
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
6-WDFN (2x2)
Pacchetto / caso
6-WDFN Exposed Pad
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
NTLJS1102PTBG

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