부품 번호

FQB5N60CTM-WS

생산 상태 (수명주기)

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제조업체 리드 타임

6-8 weeks

조건

New & Unused, Original Sealed

배송 방식

DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post

부품 상태

Active

FET 유형

N-Channel

과학 기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)

600V

전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.5 Ohm @ 2.25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs

19nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

670pF @ 25V

FET 기능

-

전력 발산 (최대)

100W (Tc)

작동 온도

-

실장 형

Surface Mount

공급 업체 장치 패키지

D²PAK (TO-263AB)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

무게

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