FDFMA2P029Z-F106 ON Semiconductor Verteiler
| Hersteller-Teilenummer | FDFMA2P029Z-F106 |
|---|---|
| Hersteller / Marke | ON Semiconductor |
| verfügbare Anzahl | 169070 Pieces |
| Stückpreis | Quote by Email ([email protected]) |
| Kurze Beschreibung | -20V -3.1A 95 O PCH ER T |
| Produktkategorie | Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Lieferzeit | 1-2 Days |
| Datumscode (D / C) | New |
| Datenblatt herunterladen | FDFMA2P029Z-F106.pdf |
Bitte füllen Sie das untenstehende Anfrageformular aus, wir werden Ihnen das Angebot für FDFMA2P029Z-F106 innerhalb von 24 Stunden.
- Artikelnummer
- FDFMA2P029Z-F106
- Produktionsstatus (Lebenszyklus)
- Contact us
- Hersteller lieferzeit
- 6-8 weeks
- Bedingung
- New & Unused, Original Sealed
- Lieferweg
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Teilstatus
- Active
- FET Typ
- P-Channel
- Technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain auf Source-Spannung (Vdss)
- 20V
- Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C
- 3.1A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 2.5V, 4.5V
- Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
- 95 mOhm @ 3.1A, 4.5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 1.5V @ 250µA
- Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
- 10nC @ 4.5V
- Vgs (Max)
- ±12V
- Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
- 720pF @ 10V
- FET-Eigenschaft
- Schottky Diode (Isolated)
- Verlustleistung (Max)
- 1.4W (Ta)
- Betriebstemperatur
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Befestigungsart
- Surface Mount
- Lieferantengerätepaket
- 6-MicroFET (2x2)
- Paket / Fall
- 6-WDFN Exposed Pad
- Gewicht
- Contact us
- Anwendung
- Email for details
- Ersatzteil
- FDFMA2P029Z-F106
Verwandte Komponenten von ON Semiconductor
In Verbindung stehende Schlüsselwörter "FDFMA"
| Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung |
|---|---|---|
| FDFMA2N028Z | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 3.7A MLP2X2 |
| FDFMA2N028Z_08 | FAIRCHILD | Integrated N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET and Schottky Diode 20V, 3.7A, 68mヘ IC |
| FDFMA2P029Z | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP |
| FDFMA2P029Z-F106 | ON Semiconductor | -20V -3.1A 95 O PCH ER T |
| FDFMA2P029Z_08 | FAIRCHILD | Integrated P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET and Schottky Diode .20V, .3.1A, 95m IC |
| FDFMA2P853 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET6 |
| FDFMA2P853(853N) | FAIRCHILD | FDFMA2P853(853N) FAIRCHILD IC QFN6 |
| FDFMA2P853T | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET |
| FDFMA2P853_06 | FAIRCHILD | Integrated P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET and Schottky Diode IC |
| FDFMA2P853_08 | FAIRCHILD | Integrated P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET and Schottky Diode IC |
| FDFMA2P857 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET2X2 |
| FDFMA2P857_08 | FAIRCHILD | Integrated P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET and Schottky Diode .20V, .3.0A, 120mヘ IC |