Hersteller-TeilenummerNJD35N04G
Hersteller / MarkeON Semiconductor
verfügbare Anzahl101990 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungTRANSISTOR NPN DARL 350V 4A DPAK
ProduktkategorieTransistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
NJD35N04G
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Darlington
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)
4A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
350V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 20mA, 2A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max)
50µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce
2000 @ 2A, 2V
Leistung max
45W
Frequenz - Übergang
90MHz
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / Fall
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Lieferantengerätepaket
DPAK
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
NJD35N04G

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Artikelnummer Hersteller Beschreibung
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