Número de pieza del fabricanteEFC6601R-TR
Fabricante / MarcaON Semiconductor
Cantidad disponible176910 Pieces
Precio unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descripciónMOSFET 2N-CH EFCP
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Arreglos
Estado sin plomo / estado de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
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Número de pieza
EFC6601R-TR
Estado de producción (ciclo de vida)
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Fabricante plazo de ejecución
6-8 weeks
Condición
New & Unused, Original Sealed
forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Estado de la pieza
Active
Tipo de FET
2 N-Channel (Dual)
Característica FET
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
-
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
Potencia - Max
2W
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / caja
6-XFBGA, FCBGA
Paquete de dispositivo del proveedor
EFCP2718-6CE-020
Peso
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Solicitud
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Repuesto
EFC6601R-TR

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Número de pieza Fabricante Descripción
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