codice articolo del costruttoreEFC6601R-TR
Produttore / MarcaON Semiconductor
quantité disponible176910 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneMOSFET 2N-CH EFCP
categoria di prodottoTransistor - FET, MOSFET - Array
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
EFC6601R-TR
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Active
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain to Source Voltage (Vdss)
-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
-
Potenza - Max
2W
temperatura di esercizio
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / caso
6-XFBGA, FCBGA
Pacchetto dispositivo fornitore
EFCP2718-6CE-020
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
EFC6601R-TR

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