NDDP010N25AZ-1H ON Semiconductor Distributeur
| Référence fabricant | NDDP010N25AZ-1H |
|---|---|
| Fabricant / marque | ON Semiconductor |
| quantité disponible | 123340 Pieces |
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
| Brève description | MOSFET N-CH 250V 10A IPAK/TP |
| catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | NDDP010N25AZ-1H.pdf |
S'il vous plaît remplir le formulaire ci-dessous, nous vous répondrons la citation pour NDDP010N25AZ-1H Dans les 24 heures.
- Numéro d'article
- NDDP010N25AZ-1H
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Obsolete
- FET Type
- N-Channel
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain à la tension de source (Vdss)
- 250V
- Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
- 10A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 420 mOhm @ 5A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 4.5V @ 1mA
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 16nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±30V
- Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 980pF @ 20V
- FET Caractéristique
-
- Dissipation de puissance (Max)
- 1W (Ta), 52W (Tc)
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Type de montage
- Through Hole
- Package de périphérique fournisseur
- IPAK/TP
- Paquet / cas
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- NDDP010N25AZ-1H
Composants connexes fabriqués par ON Semiconductor
Mots-clés associés pour "NDDP0"
| Numéro d'article | Fabricant | La description |
|---|---|---|
| NDDP010N25AZ-1H | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 10A IPAK/TP |
| NDDP010N25AZT4H | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 10A TP-FA |