Référence fabricantNGTD13T65F2WP
Fabricant / marqueON Semiconductor
quantité disponible103430 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionIGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
catégorie de produitTransistors - IGBT - Simples
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
NGTD13T65F2WP
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
Type d'IGBT
Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)
650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
-
Courant - Collecteur pulsé (Icm)
120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 30A
Puissance - Max
-
Échange d'énergie
-
Type d'entrée
Standard
Charge de porte
-
Td (marche / arrêt) à 25 ° C
-
Condition de test
-
Temps de récupération inverse (trr)
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Paquet / cas
Die
Package de périphérique fournisseur
Die
Poids
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Application
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Pièce de rechange
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Numéro d'article Fabricant La description
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