NGTD13T65F2WP ON Semiconductor Distributeur
| Référence fabricant | NGTD13T65F2WP |
|---|---|
| Fabricant / marque | ON Semiconductor |
| quantité disponible | 103430 Pieces |
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
| Brève description | IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE |
| catégorie de produit | Transistors - IGBT - Simples |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | NGTD13T65F2WP.pdf |
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- Numéro d'article
- NGTD13T65F2WP
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Active
- Type d'IGBT
- Trench Field Stop
- Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)
- 650V
- Courant - Collecteur (Ic) (Max)
-
- Courant - Collecteur pulsé (Icm)
- 120A
- Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
- 2.2V @ 15V, 30A
- Puissance - Max
-
- Échange d'énergie
-
- Type d'entrée
- Standard
- Charge de porte
-
- Td (marche / arrêt) à 25 ° C
-
- Condition de test
-
- Temps de récupération inverse (trr)
-
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Type de montage
- Surface Mount
- Paquet / cas
- Die
- Package de périphérique fournisseur
- Die
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- NGTD13T65F2WP
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| Numéro d'article | Fabricant | La description |
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| NGTD13R120F2WP | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 1.2KV DIE |
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| NGTD13T65F2WP | ON Semiconductor | IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE |
| NGTD14T65F2SWK | ON Semiconductor | IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE |
| NGTD14T65F2WP | ON Semiconductor | IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE |
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| NGTD17R120F2WP | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 1.2KV DIE |
| NGTD17T65F2SWK | ON Semiconductor | IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE |
| NGTD17T65F2WP | ON Semiconductor | IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE |