Référence fabricantNTJD1155LT1G
Fabricant / marqueON Semiconductor
quantité disponible30630 Pieces
Prix unitaireQuote by Email ([email protected])
Brève descriptionMOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
catégorie de produitTransistors - FET, MOSFET - Matrices
Statut sans plomb / Statut RoHSLead free / RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Heure de livraison1-2 Days
Code de date (D / C)New
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Numéro d'article
NTJD1155LT1G
Statut de production (cycle de vie)
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Délai d'exécution du fabricant
6-8 weeks
État
New & Unused, Original Sealed
Manière d'expédition
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
État de la pièce
Active
FET Type
N and P-Channel
FET Caractéristique
Standard
Drain à la tension de source (Vdss)
8V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
175 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
-
Puissance - Max
400mW
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Paquet / cas
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur
SC-88/SC70-6/SOT-363
Poids
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Application
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Pièce de rechange
NTJD1155LT1G

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