RFD12N06RLESM9A ON Semiconductor Distributeur
| Référence fabricant | RFD12N06RLESM9A |
|---|---|
| Fabricant / marque | ON Semiconductor |
| quantité disponible | 134890 Pieces |
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
| Brève description | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK |
| catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Simples |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | RFD12N06RLESM9A.pdf |
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- Numéro d'article
- RFD12N06RLESM9A
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Active
- FET Type
- N-Channel
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain à la tension de source (Vdss)
- 60V
- Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
- 18A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 63 mOhm @ 18A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3V @ 250µA
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 15nC @ 10V
- Vgs (Max)
- ±16V
- Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 485pF @ 25V
- FET Caractéristique
-
- Dissipation de puissance (Max)
- 49W (Tc)
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Type de montage
- Surface Mount
- Package de périphérique fournisseur
- TO-252AA
- Paquet / cas
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- RFD12N06RLESM9A
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| Numéro d'article | Fabricant | La description |
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| RFD12N06RLE | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 18A IPAK |
| RFD12N06RLESM @@@@@ | FAIRCHILD | RFD12N06RLESM @@@@@ FAIRCHILD IC TO-252(DPAK) |
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