MJD112T4G ON Semiconductor Distribuidor
Número da peça do fabricante | MJD112T4G |
---|---|
Fabricante / Marca | ON Semiconductor |
Quantidade disponível | 102700 Pieces |
Preço unitário | Quote by Email ([email protected]) |
Descrição breve | TRANSISTOR NPN DARL 100V 2A DPAK |
Categoria de Produto | Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega | 1-2 Days |
Código de Data (D / C) | New |
Download da folha de dados | MJD112T4G.pdf |
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- Número da peça
- MJD112T4G
- Status de produção (ciclo de vida)
- Contact us
- Tempo de espera do fabricante
- 6-8 weeks
- Condição
- New & Unused, Original Sealed
- Forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Status da Parte
- Active
- Tipo de transistor
- NPN - Darlington
- Current - Collector (Ic) (Max)
- 2A
- Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.)
- 100V
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
- 3V @ 40mA, 4A
- Current - Collector Cutoff (Max)
- 20µA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
- 1000 @ 2A, 3V
- Power - Max
- 20W
- Frequência - Transição
- 25MHz
- Temperatura de operação
- -65°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montagem
- Surface Mount
- Pacote / Caso
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Pacote de dispositivos de fornecedores
- DPAK
- Peso
- Contact us
- Aplicação
- Email for details
- Peça de reposição
- MJD112T4G
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