MVDF1N05ER2G ON Semiconductor дистрибьютор
| Номер детали производителя | MVDF1N05ER2G |
|---|---|
| Производитель / Марка | ON Semiconductor |
| Доступное количество | 161790 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - массивы |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | MVDF1N05ER2G.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение MVDF1N05ER2G в течение 24 часов.
- номер части
- MVDF1N05ER2G
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Obsolete
- Тип полевого транзистора
- 2 N-Channel (Dual)
- Функция FET
- Logic Level Gate
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 50V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 2A
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 300 mOhm @ 1.5A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 12.5nC @ 10V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 330pF @ 25V
- Мощность - макс.
- 2W
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- Surface Mount
- Упаковка / чехол
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Пакет устройств поставщика
- 8-SOIC
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- MVDF1N05ER2G
Связанные компоненты сделаны ON Semiconductor
Связанные ключевые слова "MVDF"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| MVDF1N05ER2G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC |
| MVDF2C03HDR2G | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC |