NTDV3055L104-1G ON Semiconductor дистрибьютор
| Номер детали производителя | NTDV3055L104-1G |
|---|---|
| Производитель / Марка | ON Semiconductor |
| Доступное количество | 116940 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 60V 12A IPAK |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | NTDV3055L104-1G.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение NTDV3055L104-1G в течение 24 часов.
- номер части
- NTDV3055L104-1G
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Obsolete
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 60V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 12A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 5V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 104 mOhm @ 6A, 5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 2V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 20nC @ 5V
- Vgs (Макс.)
- ±15V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 440pF @ 25V
- Функция FET
-
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 1.5W (Ta), 48W (Tj)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Тип монтажа
- Through Hole
- Пакет устройств поставщика
- I-PAK
- Упаковка / чехол
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- NTDV3055L104-1G
Связанные компоненты сделаны ON Semiconductor
Связанные ключевые слова "NTDV3"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| NTDV3055L104-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 12A IPAK |