номер части

NVB6412ANT4G

Состояние производства (жизненный цикл)

Contact us

Время выполнения производителя

6-8 weeks

Состояние

New & Unused, Original Sealed

Способ доставки

DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post

Статус детали

Last Time Buy

Тип полевого транзистора

N-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Слив к источнику напряжения (Vdss)

100V

Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C

58A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Макс.) @ Id, Vgs

18.2 mOhm @ 58A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

100nC @ 10V

Vgs (Макс.)

±20V

Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds

3500pF @ 25V

Функция FET

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

167W (Tc)

Рабочая Температура

-55°C ~ 175°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет устройств поставщика

D2PAK-3

Упаковка / чехол

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вес

Contact us

заявка

Email for details

Сменная часть

NVB6412ANT4G