Hersteller-TeilenummerHGT1S12N60A4DS
Hersteller / MarkeON Semiconductor
verfügbare Anzahl160800 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungIGBT 600V 54A 167W D2PAK
ProduktkategorieTransistoren - IGBTs - Einzeln
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
HGT1S12N60A4DS
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Not For New Designs
IGBT-Typ
-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)
54A
Strom - Kollektorimpuls (Icm)
96A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 12A
Leistung max
167W
Energie wechseln
55µJ (on), 50µJ (off)
Eingabetyp
Standard
Gate Ladung
78nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C
17ns/96ns
Testbedingung
390V, 12A, 10 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)
30ns
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / Fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lieferantengerätepaket
TO-263AB
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
HGT1S12N60A4DS

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