Hersteller-TeilenummerHGT1S10N120BNST
Hersteller / MarkeON Semiconductor
verfügbare Anzahl136140 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungIGBT 1200V 35A 298W TO263AB
ProduktkategorieTransistoren - IGBTs - Einzeln
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
HGT1S10N120BNST
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Active
IGBT-Typ
NPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)
35A
Strom - Kollektorimpuls (Icm)
80A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 10A
Leistung max
298W
Energie wechseln
320µJ (on), 800µJ (off)
Eingabetyp
Standard
Gate Ladung
100nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C
23ns/165ns
Testbedingung
960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / Fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lieferantengerätepaket
TO-263AB
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
HGT1S10N120BNST

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Artikelnummer Hersteller Beschreibung
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