Número de pieza del fabricanteHGT1S10N120BNST
Fabricante / MarcaON Semiconductor
Cantidad disponible136140 Pieces
Precio unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descripciónIGBT 1200V 35A 298W TO263AB
categoria de productoTransistores - IGBT - Simple
Estado sin plomo / estado de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
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Número de pieza
HGT1S10N120BNST
Estado de producción (ciclo de vida)
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Fabricante plazo de ejecución
6-8 weeks
Condición
New & Unused, Original Sealed
forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Estado de la pieza
Active
Tipo de IGBT
NPT
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)
1200V
Current - Collector (Ic) (Max)
35A
Corriente - colector pulsado (Icm)
80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 10A
Potencia - Max
298W
Conmutación de energía
320µJ (on), 800µJ (off)
Tipo de entrada
Standard
Cargo de puerta
100nC
Td (encendido / apagado) a 25 ° C
23ns/165ns
Condición de prueba
960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inversa (trr)
-
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / caja
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-263AB
Peso
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Solicitud
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Repuesto
HGT1S10N120BNST

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Número de pieza Fabricante Descripción
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