HGT1S10N120BNST ON Semiconductor Distributeur
| Référence fabricant | HGT1S10N120BNST |
|---|---|
| Fabricant / marque | ON Semiconductor |
| quantité disponible | 136140 Pieces |
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
| Brève description | IGBT 1200V 35A 298W TO263AB |
| catégorie de produit | Transistors - IGBT - Simples |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | HGT1S10N120BNST.pdf |
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- Numéro d'article
- HGT1S10N120BNST
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Active
- Type d'IGBT
- NPT
- Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)
- 1200V
- Courant - Collecteur (Ic) (Max)
- 35A
- Courant - Collecteur pulsé (Icm)
- 80A
- Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
- 2.7V @ 15V, 10A
- Puissance - Max
- 298W
- Échange d'énergie
- 320µJ (on), 800µJ (off)
- Type d'entrée
- Standard
- Charge de porte
- 100nC
- Td (marche / arrêt) à 25 ° C
- 23ns/165ns
- Condition de test
- 960V, 10A, 10 Ohm, 15V
- Temps de récupération inverse (trr)
-
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Type de montage
- Surface Mount
- Paquet / cas
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Package de périphérique fournisseur
- TO-263AB
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- HGT1S10N120BNST
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| Numéro d'article | Fabricant | La description |
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| HGT1S10N120BNST | ON Semiconductor | IGBT 1200V 35A 298W TO263AB |
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