Hersteller-TeilenummerHGT1S3N60A4DS9A
Hersteller / MarkeON Semiconductor
verfügbare Anzahl21030 Pieces
StückpreisQuote by Email ([email protected])
Kurze BeschreibungIGBT 600V 17A 70W D2PAK
ProduktkategorieTransistoren - IGBTs - Einzeln
Bleifreier Status / RoHS-StatusLead free / RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited)
Lieferzeit1-2 Days
Datumscode (D / C)New
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Artikelnummer
HGT1S3N60A4DS9A
Produktionsstatus (Lebenszyklus)
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Hersteller lieferzeit
6-8 weeks
Bedingung
New & Unused, Original Sealed
Lieferweg
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Teilstatus
Obsolete
IGBT-Typ
-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)
17A
Strom - Kollektorimpuls (Icm)
40A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 3A
Leistung max
70W
Energie wechseln
37µJ (on), 25µJ (off)
Eingabetyp
Standard
Gate Ladung
21nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C
6ns/73ns
Testbedingung
390V, 3A, 50 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)
29ns
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket / Fall
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Lieferantengerätepaket
TO-263AB
Gewicht
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Anwendung
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Ersatzteil
HGT1S3N60A4DS9A

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Artikelnummer Hersteller Beschreibung
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