Número de pieza del fabricanteFDFME3N311ZT
Fabricante / MarcaON Semiconductor
Cantidad disponible182730 Pieces
Precio unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descripciónMOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
categoria de productoTransistores - FET, MOSFET - Simple
Estado sin plomo / estado de RoHSLead free / RoHS Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
El tiempo de entrega1-2 Days
Código de fecha (D / C)New
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Número de pieza
FDFME3N311ZT
Estado de producción (ciclo de vida)
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Fabricante plazo de ejecución
6-8 weeks
Condición
New & Unused, Original Sealed
forma de envio
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Estado de la pieza
Last Time Buy
Tipo de FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
1.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
299 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
1.4nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
75pF @ 15V
Característica FET
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (Máx)
1.4W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor
6-MicroFET (1.6x1.6)
Paquete / caja
6-UFDFN Exposed Pad
Peso
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Solicitud
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Repuesto
FDFME3N311ZT

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