FDFME3N311ZT ON Semiconductor дистрибьютор
| Номер детали производителя | FDFME3N311ZT |
|---|---|
| Производитель / Марка | ON Semiconductor |
| Доступное количество | 182730 Pieces |
| Цена за единицу | Quote by Email ([email protected]) |
| Краткое описание | MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET |
| Категория продукта | Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные |
| Бессвинцовый статус / RoHS Статус | Lead free / RoHS Compliant |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Срок поставки | 1-2 Days |
| Код даты (D / C) | New |
| Скачать спецификацию | FDFME3N311ZT.pdf |
Пожалуйста, заполните форму запроса ниже, мы ответим вам на предложение FDFME3N311ZT в течение 24 часов.
- номер части
- FDFME3N311ZT
- Состояние производства (жизненный цикл)
- Contact us
- Время выполнения производителя
- 6-8 weeks
- Состояние
- New & Unused, Original Sealed
- Способ доставки
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Статус детали
- Last Time Buy
- Тип полевого транзистора
- N-Channel
- Технологии
- MOSFET (Metal Oxide)
- Слив к источнику напряжения (Vdss)
- 30V
- Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C
- 1.8A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 2.5V, 4.5V
- Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
- 299 mOhm @ 1.6A, 4.5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 1.5V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
- 1.4nC @ 4.5V
- Vgs (Макс.)
- ±12V
- Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds
- 75pF @ 15V
- Функция FET
- Schottky Diode (Isolated)
- Рассеиваемая мощность (макс.)
- 1.4W (Ta)
- Рабочая Температура
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип монтажа
- Surface Mount
- Пакет устройств поставщика
- 6-MicroFET (1.6x1.6)
- Упаковка / чехол
- 6-UFDFN Exposed Pad
- Вес
- Contact us
- заявка
- Email for details
- Сменная часть
- FDFME3N311ZT
Связанные компоненты сделаны ON Semiconductor
,TO-226_straightlead.jpg "J113_D26Z")
Связанные ключевые слова "FDFM"
| номер части | производитель | Описание |
|---|---|---|
| FDFM2N111 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 4A 3X3 MLP |
| FDFM2P110 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.5A 3X3 MLP |
| FDFM2P110-ND | FAIRCHILD | FDFM2P110-ND FAIRCHILD IC MLP-6 |
| FDFM2P110_0508 | FAIRCHILD | Integrated P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET and Schottky Diode IC |
| FDFM6700 | FAIRCHILD | FDFM6700 FAIRCHILD IC QFN |
| FDFM6890WZ | FAIRCHILD | FDFM6890WZ FAIRCHILD IC DFN-8 |
| FDFMA2N028Z | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 3.7A MLP2X2 |
| FDFMA2N028Z_08 | FAIRCHILD | Integrated N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET and Schottky Diode 20V, 3.7A, 68mヘ IC |
| FDFMA2P029Z | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP |
| FDFMA2P029Z-F106 | ON Semiconductor | -20V -3.1A 95 O PCH ER T |
| FDFMA2P029Z_08 | FAIRCHILD | Integrated P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET and Schottky Diode .20V, .3.1A, 95m IC |
| FDFMA2P853 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET6 |