
Référence fabricant | FDFME3N311ZT |
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Fabricant / marque | ON Semiconductor |
quantité disponible | 182730 Pieces |
Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
Brève description | MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET |
catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Simples |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Heure de livraison | 1-2 Days |
Code de date (D / C) | New |
Télécharger la fiche technique | FDFME3N311ZT.pdf |
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- Numéro d'article
- FDFME3N311ZT
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- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
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- État de la pièce
- Last Time Buy
- FET Type
- N-Channel
- La technologie
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain à la tension de source (Vdss)
- 30V
- Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
- 1.8A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 2.5V, 4.5V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 299 mOhm @ 1.6A, 4.5V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 1.5V @ 250µA
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 1.4nC @ 4.5V
- Vgs (Max)
- ±12V
- Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 75pF @ 15V
- FET Caractéristique
- Schottky Diode (Isolated)
- Dissipation de puissance (Max)
- 1.4W (Ta)
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Type de montage
- Surface Mount
- Package de périphérique fournisseur
- 6-MicroFET (1.6x1.6)
- Paquet / cas
- 6-UFDFN Exposed Pad
- Poids
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- Pièce de rechange
- FDFME3N311ZT
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Numéro d'article | Fabricant | La description |
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