NTMD6601NR2G ON Semiconductor Distributeur
| Référence fabricant | NTMD6601NR2G |
|---|---|
| Fabricant / marque | ON Semiconductor |
| quantité disponible | 51320 Pieces |
| Prix unitaire | Quote by Email ([email protected]) |
| Brève description | MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC |
| catégorie de produit | Transistors - FET, MOSFET - Matrices |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Heure de livraison | 1-2 Days |
| Code de date (D / C) | New |
| Télécharger la fiche technique | NTMD6601NR2G.pdf |
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- Numéro d'article
- NTMD6601NR2G
- Statut de production (cycle de vie)
- Contact us
- Délai d'exécution du fabricant
- 6-8 weeks
- État
- New & Unused, Original Sealed
- Manière d'expédition
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- État de la pièce
- Obsolete
- FET Type
- 2 N-Channel (Dual)
- FET Caractéristique
- Logic Level Gate
- Drain à la tension de source (Vdss)
- 80V
- Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C
- 1.1A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 215 mOhm @ 2.2A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3V @ 250µA
- Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
- 15nC @ 10V
- Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
- 400pF @ 25V
- Puissance - Max
- 600mW
- Température de fonctionnement
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Type de montage
- Surface Mount
- Paquet / cas
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Package de périphérique fournisseur
- 8-SOIC
- Poids
- Contact us
- Application
- Email for details
- Pièce de rechange
- NTMD6601NR2G
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