NTMD6601NR2G ON Semiconductor Distribuidor
Número da peça do fabricante | NTMD6601NR2G |
---|---|
Fabricante / Marca | ON Semiconductor |
Quantidade disponível | 51320 Pieces |
Preço unitário | Quote by Email ([email protected]) |
Descrição breve | MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC |
Categoria de Produto | Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega | 1-2 Days |
Código de Data (D / C) | New |
Download da folha de dados | NTMD6601NR2G.pdf |
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- Número da peça
- NTMD6601NR2G
- Status de produção (ciclo de vida)
- Contact us
- Tempo de espera do fabricante
- 6-8 weeks
- Condição
- New & Unused, Original Sealed
- Forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Status da Parte
- Obsolete
- Tipo FET
- 2 N-Channel (Dual)
- FET Feature
- Logic Level Gate
- Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
- 80V
- Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
- 1.1A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 215 mOhm @ 2.2A, 10V
- Vgs (th) (Max) @ Id
- 3V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 15nC @ 10V
- Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
- 400pF @ 25V
- Power - Max
- 600mW
- Temperatura de operação
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montagem
- Surface Mount
- Pacote / Caso
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Pacote de dispositivos de fornecedores
- 8-SOIC
- Peso
- Contact us
- Aplicação
- Email for details
- Peça de reposição
- NTMD6601NR2G
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