codice articolo del costruttoreHGTD1N120BNS9A
Produttore / MarcaON Semiconductor
quantité disponible140830 Pieces
Prezzo unitarioQuote by Email ([email protected])
Breve descrizioneIGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
categoria di prodottoTransistor - IGBT - Singoli
Stato senza piombo / Stato RoHSLead free / RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Tempo di consegna1-2 Days
Data Code (D / C)New
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Numero di parte
HGTD1N120BNS9A
Stato di produzione (ciclo di vita)
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Tempo di consegna del produttore
6-8 weeks
Condizione
New & Unused, Original Sealed
Modo di spedizione
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
Stato parte
Active
Tipo IGBT
NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max)
5.3A
Corrente - Collector Pulsed (Icm)
6A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
2.9V @ 15V, 1A
Potenza - Max
60W
Cambiare energia
70µJ (on), 90µJ (off)
Tipo di input
Standard
Carica del cancello
14nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C
15ns/67ns
Condizione di test
960V, 1A, 82 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)
-
temperatura di esercizio
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / caso
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252AA
Peso
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Applicazione
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Pezzo di ricambio
HGTD1N120BNS9A

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