HGTD1N120BNS9A ON Semiconductor Distribuidor
Número da peça do fabricante | HGTD1N120BNS9A |
---|---|
Fabricante / Marca | ON Semiconductor |
Quantidade disponível | 140830 Pieces |
Preço unitário | Quote by Email ([email protected]) |
Descrição breve | IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA |
Categoria de Produto | Transistores - IGBTs - Único |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega | 1-2 Days |
Código de Data (D / C) | New |
Download da folha de dados | HGTD1N120BNS9A.pdf |
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- Número da peça
- HGTD1N120BNS9A
- Status de produção (ciclo de vida)
- Contact us
- Tempo de espera do fabricante
- 6-8 weeks
- Condição
- New & Unused, Original Sealed
- Forma de envio
- DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
- Status da Parte
- Active
- Tipo IGBT
- NPT
- Voltagem - Coletor Emissor Disrupção (Máx.)
- 1200V
- Current - Collector (Ic) (Max)
- 5.3A
- Corrente - Coletor pulsado (Icm)
- 6A
- Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
- 2.9V @ 15V, 1A
- Power - Max
- 60W
- Mudança de energia
- 70µJ (on), 90µJ (off)
- Tipo de entrada
- Standard
- Carga do portão
- 14nC
- Td (ligado / desligado) @ 25 ° C
- 15ns/67ns
- Condição de teste
- 960V, 1A, 82 Ohm, 15V
- Tempo de recuperação inversa (TRR)
-
- Temperatura de operação
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Tipo de montagem
- Surface Mount
- Pacote / Caso
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Pacote de dispositivos de fornecedores
- TO-252AA
- Peso
- Contact us
- Aplicação
- Email for details
- Peça de reposição
- HGTD1N120BNS9A
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