製造業者識別番号HGTD1N120BNS9A
メーカー/ブランドON Semiconductor
利用可能な数量140830 Pieces
単価Quote by Email ([email protected])
簡単な説明IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
製品カテゴリトランジスタ - IGBT - シングル
鉛フリーステータス/ RoHSステータスLead free / RoHS Compliant
耐湿性レベル(MSL) 1 (Unlimited)
納期1-2 Days
日付コード(D / C)New
データシートダウンロード HGTD1N120BNS9A.pdf

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品番
HGTD1N120BNS9A
生産状況(ライフサイクル)
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メーカーリードタイム
6-8 weeks
調子
New & Unused, Original Sealed
発送方法
DHL / FEDEX / UPS / TNT / EMS / Normal Post
部品ステータス
Active
IGBTタイプ
NPT
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大)
1200V
電流 - コレクタ(Ic)(最大)
5.3A
電流 - コレクタパルス(Icm)
6A
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic
2.9V @ 15V, 1A
電力 - 最大
60W
スイッチングエネルギー
70µJ (on), 90µJ (off)
入力方式
Standard
ゲートチャージ
14nC
Td(オン/オフ)@ 25℃
15ns/67ns
テスト条件
960V, 1A, 82 Ohm, 15V
逆回復時間(trr)
-
動作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ
Surface Mount
パッケージ/ケース
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤデバイスパッケージ
TO-252AA
重量
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応用
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交換部品
HGTD1N120BNS9A

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関連キーワード "HGTD"

品番 メーカー 説明
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